BSS123NH6327XTSA1 Infineon

Symbol Micros: TBSS123n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123NH6433XTMA1; BSS123NH6327; BSS123NH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
336000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0411
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6433XTMA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0325
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
32200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0807
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6433XTMA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0314
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
990000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0310
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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