BSS123W

Symbol Micros: TBSS123W YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: BSS123W RoHS Gehäuse: SOT323 t/r  
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0667 0,0258 0,0125 0,0100 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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