BSS123W

Symbol Micros: TBSS123W YY

Gehäuse: SOT323

100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	150mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	150mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD