BSS126H6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS126
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 700 Ohm; 21mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS126H6327XTSA2; BSS126 H6327; BSS126H6327XT; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126 H6327;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 700Ohm |
| Max. Drainstrom: | 21mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 700Ohm |
| Max. Drainstrom: | 21mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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