BSS127H6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS127
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 600 Ohm; 21mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS127H6327XTSA2; BSS127S-7; [Veraltet:BSS127H6327XTSA1; BSS127L6327HTSA1; BSS127 E6327;] BSS127H6327; BSS127 H6327
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600Ohm
Max. Drainstrom: 21mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS127H6327XTSA2 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5935 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,3120 0,1726 0,1147 0,0957 0,0891
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS127H6327XTSA2 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0891
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600Ohm
Max. Drainstrom: 21mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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