BSS127I

Symbol Micros: TBSS127IXTSA1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 500 Ohm; 21mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS127IXTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500Ohm
Max. Drainstrom: 21mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS127IXTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0367
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 500Ohm
Max. Drainstrom: 21mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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