BSS131

Symbol Micros: TBSS131 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360 mW; -55°C~150°C; Äquivalente: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BSS131 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2243 0,1137 0,0690 0,0547 0,0498
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BSS131 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2243 0,1137 0,0690 0,0547 0,0498
Standard-Verpackung:
150
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-05-20
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD