BSS131 SOT23 FUXINSEMI

Symbol Micros: TBSS131 FUX

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 4,5 Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	100mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	100mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD