BSS138 SOT23-3 CJ
Symbol Micros:
TBSS138 CJ
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 220mA; 350 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 220mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | CJ |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 220mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | CJ |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole