BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE)

Symbol Micros: TBSS138 MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0871 0,0343 0,0201 0,0147 0,0134
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD