BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE)

Symbol Micros: TBSS138 MDD

Gehäuse: SOT23

50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	340mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MDD
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-11-30

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	340mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MDD
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD