BSS138LT1G-MS SOT23 MSKSEMI

Symbol Micros: TBSS138 MSK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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50V 300mA 350mW 2,5Ohm 800mV 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MSK
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MSK
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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