BSS138 SOT23 RealChip

Symbol Micros: TBSS138 REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 4Ohm; 200mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Max. Drainstrom: 200mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5950 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0618 0,0237 0,0116 0,0092 0,0088
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Max. Drainstrom: 200mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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