BSS138 SOT23-3 VBS

Symbol Micros: TBSS138 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,8Ohm; 250mA; 300mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole