BSS138A-TP

Symbol Micros: TBSS138A-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 1,6 Ohm; 220mA; 350 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138A-TP RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1968 0,0935 0,0525 0,0398 0,0358
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD