BSS138A-TP

Symbol Micros: TBSS138A-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 1,6 Ohm; 220mA; 350 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138A-TP RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0885 0,0348 0,0203 0,0149 0,0136
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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