BSS138BK JGSEMI

Symbol Micros: TBSS138bk JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 125°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BSS138BK RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0837 0,0330 0,0192 0,0141 0,0129
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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