BSS138BKS NXP

Symbol Micros: TBSS138bks
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N-MOSFET 60V 320mA 1.6Ω 445mW BSS138BKS,115; BSS138BKS.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole