BSS138BKS NXP

Symbol Micros: TBSS138bks
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2N-MOSFET 60V 320mA 1.6Ω 445mW BSS138BKS,115; BSS138BKS.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
156000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0421
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
213000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0490
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0414
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD