BSS138BKS NXP
Symbol Micros:
TBSS138bks
Gehäuse: SOT363
2N-MOSFET 60V 320mA 1.6Ω 445mW BSS138BKS,115; BSS138BKS.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 320mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 445mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
156000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0421 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
213000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0490 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0414 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 320mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 445mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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