BSS138BKS NXP

Symbol Micros: TBSS138bks
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2N-MOSFET 60V 320mA 1.6Ω 445mW BSS138BKS,115; BSS138BKS.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
9580 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0408
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0414
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 445mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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