BSS138BKS

Symbol Micros: TBSS138bks c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
410mA 417mW 1.1V 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 410mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 410mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD