BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper

Symbol Micros: TBSS138bks ES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 410mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 410mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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