BSS138BKS SOT363(T/R) MSKSEMI

Symbol Micros: TBSS138bks MSK

Gehäuse: SOT363

55V 300mA 1.2?@10V 280mW 1.1V 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,2Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	280mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	MSK
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-11-28

Anzahl Stück: 1

Widerstand im offenen Kanal:	2,2Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	280mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	MSK
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD