BSS138BKW NXP

Symbol Micros: TBSS138bkw

Gehäuse: SOT323

N-MOSFET-Transistor; 60V; -/+20V; 1,6 Ohm; 320mA; 260 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS138BKW,115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	320mA
Maximaler Leistungsverlust:	260mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

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2790 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2529	0,1284	0,0778	0,0617	0,0563

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	320mA
Maximaler Leistungsverlust:	260mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD