BKS138BKW

Symbol Micros: TBSS138bkw c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
60V 500mA 360mW 1.8V SOT-23 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT323
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT323
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD