BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED

Symbol Micros: TBSS138dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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