BSS138K ONS (FAI)

Symbol Micros: TBSS138k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 12V; 2,5 Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138K-7; BSS138K-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Max. Drainstrom: 220mA
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS138K RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2076 0,1052 0,0638 0,0506 0,0461
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Max. Drainstrom: 220mA
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD