BSS138PS NXP
Symbol Micros:
TBSS138ps
Gehäuse: SOT363
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138PS,115;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 320mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS138PS RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7538 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6268 | 0,3967 | 0,3122 | 0,2841 | 0,2723 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138PS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
132000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2723 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138PS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
39000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2723 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 320mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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