BSS138PS NXP

Symbol Micros: TBSS138ps
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138PS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138PS RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
8038 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2012 0,1020 0,0618 0,0489 0,0447
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138PS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
126000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0447
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138PS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
222000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0447
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138PS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0447
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD