BSS138PS NXP

Symbol Micros: TBSS138ps
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138PS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Max. Drainstrom: 320mA
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138PS RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
7538 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6285 0,3978 0,3131 0,2848 0,2730
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Max. Drainstrom: 320mA
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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