BSS138A SOT323 HT SEMI

Symbol Micros: TBSS138pw HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: HT SEMI
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BSS138A RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0824 0,0324 0,0190 0,0139 0,0127
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: HT SEMI
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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