BSS138W SOT323 RealChip

Symbol Micros: TBSS138w REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS138PW; BSS138PW,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Max. Drainstrom: 300mA
Gehäuse: SOT323
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS138W RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0764 0,0295 0,0144 0,0114 0,0109
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Max. Drainstrom: 300mA
Gehäuse: SOT323
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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