BSS139H6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS139
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 30 Ohm; 100mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3122 0,1714 0,1348 0,1249 0,1197
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3122 0,1714 0,1348 0,1249 0,1197
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
50700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1197
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
294000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1197
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS139H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
387000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1197
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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