BSS205N

Symbol Micros: TBSS205n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS205NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2725 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2191 0,1110 0,0673 0,0535 0,0487
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Max. Kollektor-Strom [A]: 2,5A
Verlustleistung: 500mW
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V

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