BSS209PWH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS209pw
Gehäuse: SOT323
P-MOSFET 20V 0.63A 550mΩ 300mW P-MOSFET 20V 0.63A 550mΩ 300mW
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 630mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 630mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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