BSS214NWH6327-HXY HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBSS214nw HXY
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 85mOhm; 2A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 85mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 85mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS214NWH6327XTSA1
Gehäuse:
SOT323
Auf Lager
249000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,0419 |
Standard-Verpackung: 3000
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS214NWH6327XTSA1
Gehäuse:
SOT323 t/r
Auf Lager
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,2305 | 0,1095 | 0,0616 | 0,0468 | 0,0419 |
Standard-Verpackung: 3000
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole