BSS215PH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS215p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 280 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS215PH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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