BSS223PWH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS223pw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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P-MOSFET 20V 390mA 1.2Ω 250mW P-MOSFET 20V 390mA 1.2Ω 250mW
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Max. Drainstrom: 0,39A
Gehäuse: SOT323
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS223PWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
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Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0250
Standard-Verpackung:
3000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Max. Drainstrom: 0,39A
Gehäuse: SOT323
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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