BSS308PEH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS308pe
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS308PEH6327HTSA1 ; supplier allocated ; BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole