BSS314PEH6327 Infineon

Name: TBSS314pe TBSS314pe
Brand: Infineon
SKU: TBSS314pe
Price: 0.0608 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS314pe

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS314PEH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1875 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2129	0,1178	0,0782	0,0653	0,0608

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

1269000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0608

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0608

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD