BSS316NH6327 Infineon

Name: TBSS316n TBSS316n
Brand: Infineon
SKU: TBSS316n
Price: 0.0342 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS316n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 280 mOhm; 1,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS316NH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS316NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1485 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1885	0,0895	0,0503	0,0383	0,0342

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS316NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

2300 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0354

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS316NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

624000 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0342

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD