BSS63LT1G
Symbol Micros:
TBSS63
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | Fairchild |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2750 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1311 | 0,0602 | 0,0327 | 0,0245 | 0,0219 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0717 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | Fairchild |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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