BSS63,215

Symbol Micros: TBSS63 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 85MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS63,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1867 0,0747 0,0435 0,0362 0,0339
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 85MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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