BSS63,215
Symbol Micros:
TBSS63 NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 85MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 85MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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