BSS63,215
Symbol Micros:
TBSS63 NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 85MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS63,215 RoHS BM.
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1795 | 0,0718 | 0,0418 | 0,0347 | 0,0326 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
150000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0326 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS63LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
99000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0326 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 85MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole