BSS670S2LH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSS670s2l
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 55V 540mA 650mΩ 360mW BSS670S2LH6327XTSA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 650mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Max. Drainstrom: | 540mA |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS670S2LH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0302 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS670S2LH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
600 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0427 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS670S2LH6433XTMA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0349 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS670S2LH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
264000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0321 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS670S2LH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
915000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0307 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 650mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Max. Drainstrom: | 540mA |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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