BSS670S2LH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS670s2l
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Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 55V 540mA 650mΩ 360mW BSS670S2LH6327XTSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 540mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS670S2LH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
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Nettopreis (EUR) 0,0429
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 540mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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