BSS806NH6327 Infineon

Name: TBSS806n TBSS806n
Brand: Infineon
SKU: TBSS806n
Price: 0.0563 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS806n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2535	0,1286	0,0779	0,0617	0,0563

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2535	0,1286	0,0779	0,0617	0,0563

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

405000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0563

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

4635000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0563

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD