BSS806NH6327 Infineon

Name: TBSS806n TBSS806n
Brand: Infineon
SKU: TBSS806n
Price: 0.0489 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS806n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	8V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2202	0,1117	0,0676	0,0535	0,0489

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3010 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2202	0,1117	0,0676	0,0535	0,0489

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD