BSS806NH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS806n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Max. Drainstrom: 2,3A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2330 0,1182 0,0716 0,0567 0,0518
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3010 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2330 0,1182 0,0716 0,0567 0,0518
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Max. Drainstrom: 2,3A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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