BSS806NEH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSS806ne

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NE H6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2436	0,1237	0,0750	0,0594	0,0542

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NEH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0542

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NEH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

962990 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0542

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD