BSS806NEH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSS806ne
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 82mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 82mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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