BSS816NWH6327 Infineon

Name: TBSS816nw TBSS816nw
Brand: Infineon
SKU: TBSS816nw
Price: 0.0317 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS816nw

Gehäuse: SOT323

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 240 mOhm; 1,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS816NWH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1050 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1744	0,0829	0,0465	0,0354	0,0317

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1744	0,0829	0,0465	0,0354	0,0317

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

729000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0317

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

381000 stk.

Anzahl Stück	15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0317

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD