BSS816NWH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS816nw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 240 mOhm; 1,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS816NWH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1050 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1866 0,0885 0,0498 0,0378 0,0339
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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