BSS84

Symbol Micros: TBSS84 c

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10 Ohm; 150mA; 357 mW; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: BSS84-7-F;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	150mA
Maximaler Leistungsverlust:	357mW
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

9380 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0779	0,0301	0,0146	0,0116	0,0111

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	150mA
Maximaler Leistungsverlust:	357mW
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD