BSS84DW-7-F Diodes
Symbol Micros:
TBSS84dw
Gehäuse: SOT363
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 130mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Pbf K84..
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3380 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2934 | 0,1622 | 0,1078 | 0,0899 | 0,0838 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F Pbf K84..
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2600 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2934 | 0,1622 | 0,1078 | 0,0899 | 0,0838 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS84DW-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0855 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 130mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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