BSS84T116

Symbol Micros: TBSS84T116

Gehäuse: SOT23-3

PCH -60V -0.23A SMALL SIGNAL MOS Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,4Ohm
Max. Drainstrom:	230mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	6,4Ohm
Max. Drainstrom:	230mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD