BSS84T116

Symbol Micros: TBSS84T116
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PCH -60V -0.23A SMALL SIGNAL MOS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,4Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6,4Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD