BSS84W-7-F
Symbol Micros:
TBSS84w
Gehäuse: SOT323
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 130mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 130mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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