BSS84XHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM

Symbol Micros: TBSS84XHZGG2CR
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN1010-3W
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,4Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: DFN1010-3W
Hersteller: ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6,4Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: DFN1010-3W
Hersteller: ROHM Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD