BST82

Name: TBST82 TBST82
Brand: NXP
SKU: TBST82
Price: 0.1850 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBST82

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BST82.215; BST82,235;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23Ohm
Max. Drainstrom:	190mA
Maximaler Leistungsverlust:	830mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BST82 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

308 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2715	0,8910	0,7563	0,6925	0,6688

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BST82,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2715	0,8910	0,7563	0,6925	0,6688

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BST82,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2715	0,8910	0,7563	0,6925	0,6688

Widerstand im offenen Kanal:	23Ohm
Max. Drainstrom:	190mA
Maximaler Leistungsverlust:	830mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD