BST82

Symbol Micros: TBST82
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BST82.215; BST82,235;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BST82 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
308 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3089 0,1694 0,1112 0,0959 0,0885
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BST82,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2504 0,1324 0,1027 0,0948 0,0908
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BST82,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2504 0,1324 0,1027 0,0948 0,0908
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 23Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD