BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TBSZ180p03ns3g
Gehäuse: TSDSON08
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON EP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 39,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | TSDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 39,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | TSDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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