BU508D

Symbol Micros: TBU508d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO218
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NPN 8A 700V 125W NPN 8A 700V 125W
Parameter
Verlustleistung: 125W
Hersteller: Inchange Semiconductors
Stromverstärkungsfaktor: 8
Gehäuse: TO218
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 700V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 125W
Hersteller: Inchange Semiconductors
Stromverstärkungsfaktor: 8
Gehäuse: TO218
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 700V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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