BUK6D120-40EX

Symbol Micros: TBUK6D120-40EX
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Gehäuse: DFN2020MD-6
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BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 7,5W
Gehäuse: DFN2020MD-6
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK6D120-40EX Gehäuse: DFN2020MD-6  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0904
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 7,5W
Gehäuse: DFN2020MD-6
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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