BUK6D120-40EX
Symbol Micros:
TBUK6D120-40EX
Gehäuse: DFN2020MD-6
BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 7,5W |
| Gehäuse: | DFN2020MD-6 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 7,5W |
| Gehäuse: | DFN2020MD-6 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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