BUK6D120-60PX

Symbol Micros: TBUK6d120-60px
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN06
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 120 mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK6D120-60PX RoHS Gehäuse: DFN06 Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3636 0,2022 0,1598 0,1450 0,1403
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK6D120-60PX Gehäuse: DFN06  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1403
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK6D120-60PX Gehäuse: DFN06  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1403
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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