BUK6D120-60PX

Symbol Micros: TBUK6d120-60px
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN06
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 120 mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BUK6D120-60PX Gehäuse: DFN06  
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Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1202
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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