BUK6D120-60PX
Symbol Micros:
TBUK6d120-60px
Gehäuse: DFN06
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 120 mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 15W |
Gehäuse: | DFN06 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 15W |
Gehäuse: | DFN06 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole