BUK6D120-60PX

Symbol Micros: TBUK6d120-60px
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN06
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 120 mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK6D120-60PX RoHS Gehäuse: DFN06 Datenblatt
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19 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,7905 0,4985 0,3917 0,3561 0,3442
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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